앙페르의 법칙은 전류와 그 주변에 생기는 자기장 사이의 관계를 설명하는 전자기학의 기본 법칙 중 하나이다. 정확히는, 닫힌 경로를 따라 자기장을 선적분한 값이 그 경로를 관통하는 총 전류에 비례한다는 내용을 담고 있다.
이 법칙은 앙드레마리 앙페르의 이름을 따서 명명되었다. 그는 1820년대에 한스 크리스티안 외르스테드가 전류가 자침을 움직인다는 사실을 발견한 후, 전류와 자기장의 정량적 관계를 규명하는 일련의 실험을 수행했다. 앙페르의 법칙은 초기 형태의 맥스웰 방정식을 구성하는 핵심 방정식이 되었다.
앙페르의 법칙은 전류가 자기장의 원천임을 보여준다. 즉, 도선에 전류가 흐르면 그 주변에 자기장이 발생한다. 이 법칙을 이용하면 전류의 분포로부터 생성되는 자기장의 세기와 방향을 계산할 수 있어, 전자기장 해석의 강력한 도구가 된다. 무한히 긴 직선 도선, 솔레노이드, 토로이드 등 다양한 형태의 도선 구조에서의 자기장을 구하는 데 널리 적용된다.
그러나 원래의 앙페르 법칙은 시간에 따라 변하지 않는 정상 전류에 대해서만 성립하는 한계가 있었다. 이후 제임스 클러크 맥스웰이 변위 전류 개념을 추가하여 법칙을 확장하였고, 이 수정된 형태가 오늘날 맥스웰 방정식을 이루는 네 방정식 중 하나로 자리 잡게 되었다.
앙페르의 법칙은 전자기학의 기본 법칙 중 하나로, 전류와 그 주변에 생기는 자기장 사이의 관계를 설명한다. 이 법칙은 1820년대 초 프랑스의 물리학자 앙드레마리 앙페르에 의해 실험적으로 발견되고 정립되었다.
앙페르의 연구는 한스 크리스티안 외르스테드가 1820년에 전류가 흐르는 도선 주변에서 나침반 바늘이 움직이는 현상, 즉 전류가 자기장을 생성한다는 사실을 발견한 직후에 본격화되었다[1]. 이 발견에 자극받은 앙페르는 외르스테드의 실험을 확장하여 정량적인 관계를 찾기 위한 일련의 정밀 실험을 수행했다. 그는 전류가 흐르는 두 도선 사이에 작용하는 힘을 연구했으며, 이 힘이 도선 사이의 거리와 전류의 크기에 의존한다는 것을 밝혀냈다.
앙페르는 1823년에 자신의 실험 결과를 바탕으로 "앙페르의 주회 적분 법칙"을 발표했다. 이 법칙은 폐곡선을 따라 자기장의 선적분 값이 그 곡선을 관통하는 총 전류에 비례한다는 내용을 담고 있었다. 당시에는 전기변위장의 개념이 없었기 때문에, 이 법칙은 정상 전류(시간에 따라 변하지 않는 전류)에 대해서만 성립하는 것으로 알려졌다. 이후 제임스 클러크 맥스웰이 1860년대에 변위 전류의 개념을 도입하여 법칙을 수정함으로써, 법칙은 시간에 따라 변하는 전기장의 경우에도 적용될 수 있게 되었다.
앙페르의 법칙은 전류와 그 주변에 생기는 자기장 사이의 관계를 설명하는 법칙이다. 이 법칙은 두 가지 형태, 즉 적분 형태와 미분 형태로 수학적으로 표현된다. 두 형태는 서로 동등하며, 벡터 미적분학의 스토크스 정리를 통해 서로 변환될 수 있다.
적분 형태는 폐곡선을 따라 자기장의 선적분이 그 곡선을 관통하는 총 전류에 비례한다는 것을 나타낸다. 수식으로는 다음과 같이 표현된다.
\[
\oint_C \mathbf{B} \cdot d\mathbf{l} = \mu_0 I_{\text{enc}}
\]
여기서 \( \mathbf{B} \)는 자기장, \( d\mathbf{l} \)은 폐곡선 \( C \)의 미소 길이 요소 벡터, \( \mu_0 \)는 진공의 투자율, \( I_{\text{enc}} \)는 곡선 \( C \)에 의해 둘러싸인 영역을 관통하는 총 전류이다. 전류는 곡선을 관통하는 모든 전류의 대수적 합으로 계산된다.
미분 형태는 공간의 한 점에서의 자기장의 회전(컬)이 그 점의 전류 밀도에 비례한다는 점을 보여준다. 수식은 다음과 같다.
\[
\nabla \times \mathbf{B} = \mu_0 \mathbf{J}
\]
여기서 \( \nabla \times \mathbf{B} \)는 자기장 \( \mathbf{B} \)의 회전, \( \mathbf{J} \)는 전류 밀도 벡터이다. 이 방정식은 국소적(local) 관계를 나타내며, 공간의 각 점에서 자기장의 소용돌이 특성이 바로 그 점의 전류 밀도에 의해 결정됨을 의미한다.
형태 | 수학적 표현 | 설명 |
|---|---|---|
적분 형태 | \( \displaystyle \oint_C \mathbf{B} \cdot d\mathbf{l} = \mu_0 I_{\text{enc}} \) | 폐곡선 \( C \)를 따라 자기장을 선적분한 값은 그 곡선을 관통하는 총 전류에 비례한다. |
미분 형태 | \( abla \times \mathbf{B} = \mu_0 \mathbf{J} \) | 자기장의 회전은 그 점의 전류 밀도에 비례한다. |
이 두 표현은 서로 보완적이다. 적분 형태는 대칭성이 높은 상황(예: 무한 직선 도선)에서 전체적인 자기장을 계산하는 데 유용한 반면, 미분 형태는 전하 보존 법칙 \( \nabla \cdot \mathbf{J} = -\frac{\partial \rho}{\partial t} \)과 결합하거나, 맥스웰 방정식 체계 내에서 변위 전류의 개념을 도입하는 데 필수적이다.
앙페르의 법칙의 적분 형태는 폐곡선을 따라 자기장의 선적분이 그 곡선을 관통하는 총 전류에 비례한다는 것을 나타낸다. 이는 다음과 같은 수식으로 표현된다.
∮_C B · dl = μ₀ I_enc
여기서, B는 자기장 벡터, dl은 폐곡선 C의 미소 길이 요소 벡터, μ₀는 진공의 투자율이며, I_enc는 폐곡선 C에 의해 둘러싸인 영역을 관통하는 총 전류이다. 적분 기호 ∮는 폐곡선을 따라의 선적분을 의미한다.
이 식에서 우변의 전류 I_enc는 폐곡선 C를 관통하는 모든 전류의 대수적 합을 의미한다. 전류의 방향은 오른손 법칙에 따라 정해지며, 폐곡선을 관통하는 방향이 엄지손가락 방향과 일치할 때를 양의 전류로 정의한다. 이 법칙은 전류가 만드는 자기장의 선속이 전류의 크기에 직접적으로 연결되어 있음을 보여준다.
적분 형태는 전류 분포와 그에 의해 생성되는 자기장 사이의 관계를 전체적인(macroscopic) 관점에서 기술한다. 이 형태는 대칭성이 높은 상황, 예를 들어 무한 직선 도선이나 솔레노이드 주변의 자기장을 계산할 때 특히 유용하다. 계산 시에는 적분 경로인 앙페르 고리를 선택하여 자기장 B가 경로 상에서 크기가 일정하고 방향이 dl과 평행하도록 하는 것이 핵심이다.
앙페르의 법칙의 적분 형태는 폐곡선을 따라 자기장을 선적분한 값이 그 곡선을 관통하는 총 전류에 비례한다는 것을 나타낸다. 이 법칙을 공간의 한 점에서의 자기장과 전류 밀도의 관계로 국소적으로 표현한 것이 미분 형태이다.
미분 형태는 맥스웰 방정식의 네 방정식 중 하나로, 회전(curl) 연산자를 사용하여 다음과 같이 표현된다.
∇ × B = μ₀ J
여기서 ∇ × B는 자기장 B의 회전을, J는 그 점의 전류 밀도 벡터를, μ₀는 진공의 투자율을 나타낸다. 이 식은 공간의 임의의 점에서 자기장의 회전이 그 점의 전류 밀도에 정비례함을 의미한다. 즉, 전류가 흐르는 곳 주변에는 항상 자기장의 소용돌이(회전)가 생긴다.
그러나 이 원래 형태의 미분 방정식은 시간에 따라 변하지 않는 정상 전류에 대해서만 성립한다. 제임스 클러크 맥스웰은 변위 전류 개념을 도입하여 이 법칙을 확장하였다. 수정된 완전한 형태는 다음과 같다.
∇ × B = μ₀ J + μ₀ε₀ ∂E/∂t
여기서 ε₀는 진공의 유전율이고, ∂E/∂t는 전기장 E의 시간에 대한 편미분(변화율)이다. 우변의 두 번째 항 μ₀ε₀ ∂E/∂t가 바로 맥스웰의 변위 전류 항으로, 축전기가 충전되는 과정처럼 전도 전류가 연속되지 않는 영역에서도 자기장을 생성할 수 있는 시간에 따라 변하는 전기장의 효과를 설명한다. 이 수정을 통해 앙페르의 법칙은 시간에 따라 변하는 전자기장을 기술하는 데 필수적인 방정식이 되었다.
앙페르의 법칙은 전류와 그 주변에 생기는 자기장 사이의 관계를 설명하는 근본적인 법칙이다. 이 법칙의 핵심 물리적 의미는 '전류가 흐르는 곳 주위에는 항상 자기장이 동반된다'는 것이다. 즉, 전하의 흐름인 전류는 공간에 자기장을 생성하는 원천이 된다.
법칙의 적분 형태는 폐곡선을 따라 자기장을 선적분한 값이, 그 곡선이 감싸는 영역을 통과하는 총 전류에 비례함을 나타낸다. 이는 자기장이 전류 주위를 '돌아가는' 성질, 즉 자기장의 회전 특성을 정량적으로 보여준다. 폐곡선을 정하는 것은 임의적이므로, 특정 지점의 자기장이 아니라 공간 전체에서 자기장과 전류 분포 사이의 전역적 관계를 기술한다.
한편, 미분 형태인 앙페르 회로 법칙은 이 관계를 공간의 각 점에서의 국소적 특성으로 표현한다. 이 형태에 따르면, 어떤 점에서 자기장의 회전은 그 점의 전류 밀도에 비례한다. 이는 전류가 흐르는 지점에서만 자기장이 '소용돌이치듯' 생성됨을 의미하며, 전류가 없는 영역에서는 자기장의 회전이 0이 되어 보존장의 성질을 가질 수 있음을 시사한다.
따라서 앙페르의 법칙은 전기 현상과 자기 현상을 연결하는 첫 번째 핵심적인 정량적 관계로, 정전기학의 가우스 법칙이 정전기장의 발산을 전하와 연결한 것과 유사하게, 정자기학에서 정상 전류에 의한 자기장의 회전을 기술하는 기초가 된다.
맥스웰 방정식은 전기와 자기를 통합하여 기술하는 네 개의 근본적인 방정식이다. 앙페르의 법칙은 이 방정식들 중 하나로, 원래의 형태는 전류에 의해서만 생성되는 자기장을 설명했다. 그러나 맥스웰은 이 법칙에 변위 전류 항을 추가하여 수정함으로써, 전기장의 변화 또한 자기장을 생성할 수 있음을 보여주었다.
수정된 앙페르-맥스웰 법칙은 맥스웰 방정식의 네 가지 구성 요소 중 하나를 이룬다. 다른 세 가지는 각각 전기장의 발산을 기술하는 가우스 법칙, 자기장의 발산이 항상 0임을 나타내는 가우스 자기 법칙, 그리고 변화하는 자기장이 전기장을 생성함을 설명하는 패러데이 전자기 유도 법칙이다. 이 네 방정식은 함께 전자기 현상을 완전히 설명하는 체계를 구성한다.
맥스웰 방정식에서 앙페르-맥스웰 법칙의 미분 형태는 일반적으로 다음과 같이 표현된다.
∇ × B = μ₀J + μ₀ε₀ ∂E/∂t
여기서 ∇ × B는 자기장 B의 회전, J는 전류 밀도, ∂E/∂t는 전기장 E의 시간에 따른 변화율(변위 전류에 해당)을 나타낸다. 이 방정식은 전류(J)와 변화하는 전기장(∂E/∂t)이 모두 자기장의 회전(소용돌이)의 원천이 됨을 의미한다.
앙페르-맥스웰 법칙은 전자기파의 존재를 예측하는 데 결정적인 역할을 했다. 변위 전류 항이 추가되지 않은 원래의 앙페르 법칙만으로는 공간에서 전기장과 자기장이 서로를 유도하며 진행하는 파동, 즉 전자기파의 방정식을 유도할 수 없다. 맥스웰의 수정 덕분에 방정식들은 전자기파의 속도가 빛의 속도와 일치함을 보여주었고, 이로써 빛이 전자기파의 일종임을 밝히는 이론적 토대가 마련되었다.
앙페르의 법칙은 전류와 그 주변에 생기는 자기장 사이의 관계를 설명하며, 이를 이용하면 다양한 형태의 도선에 흐르는 전류에 의해 생성되는 자기장을 계산할 수 있다. 가장 기본적인 응용 예시는 무한히 긴 직선 도선, 솔레노이드, 토로이드 등이다. 이들 도선 구조는 전기공학과 물리학에서 흔히 접하는 형태로, 앙페르의 법칙을 적용하면 비교적 간단한 수학적 과정으로 자기장 분포를 유도할 수 있다.
첫 번째 대표적인 예는 무한히 긴 직선 도선이다. 도선에 일정한 전류 I가 흐를 때, 앙페르의 법칙을 적용하면 도선으로부터 거리 r만큼 떨어진 지점의 자기장 B는 다음과 같다.
자기장 크기 | 방향 |
|---|---|
B = (μ₀I)/(2πr) | 오른손 법칙에 따라 전류 방향을 감싸는 원의 접선 방향 |
여기서 μ₀는 진공의 투자율이다. 이 결과는 도선을 중심으로 한 원형 앙페르 고리를 설정하여 법칙을 적용하면 얻어진다. 두 번째 예인 솔레노이드는 원통형으로 감긴 코일로, 내부에 균일한 자기장을 생성한다. 길이가 매우 길고 단위 길이당 감은 횟수가 n인 이상적인 솔레노이드 내부에서는 앙페르의 법칙에 의해 자기장이 다음과 같다.
조건 | 자기장 크기 |
|---|---|
이상적인 솔레노이드 내부 | B = μ₀ n I |
솔레노이드 외부 | 거의 0에 가까움 |
여기서 I는 코일에 흐르는 전류이다. 이 계산은 솔레노이드 내부를 관통하는 직사각형 앙페르 고리를 설정하여 수행한다.
마지막으로 토로이드(도넛 모양의 코일)의 경우, 앙페르의 법칙을 적용하면 코일 내부(도넛의 구멍 내부)에만 자기장이 존재한다. 총 감은 횟수가 N이고, 반지름 r의 원형 고리를 따라 흐르는 전류가 I일 때, 토로이드 중심을 축으로 한 원형 경로에서의 자기장은 다음과 같다.
위치 | 자기장 크기 |
|---|---|
토로이드 내부 (반지름 r) | B = (μ₀ N I)/(2πr) |
토로이드 외부 | 0 |
이러한 응용 예시들은 앙페르의 법칙이 대칭성이 높은 전류 분포에서 자기장을 계산하는 데 매우 강력한 도구임을 보여준다.
앙페르의 법칙의 가장 기본적이고 대표적인 응용 예시는 무한히 긴 직선 도선에 흐르는 전류에 의한 자기장을 계산하는 것이다. 이는 도선 주변의 자기장 분포를 이해하는 데 중요한 모델이다.
도선을 따라 흐르는 전류의 세기를 I, 도선으로부터의 거리를 r이라고 할 때, 앙페르의 법칙을 적용하면 도선을 중심으로 한 반지름 r의 원형 폐곡선(앙페르 회로)을 따라 자기장 B의 선적분 값은 μ₀I이다. 대칭성에 의해 이 폐곡선 상에서 자기장 B의 크기는 일정하고 방향은 접선 방향이므로, 적분은 B × (2πr)으로 간단해진다. 따라서 자기장 B의 크기는 다음과 같이 구해진다.
B = (μ₀ I) / (2πr)
여기서 μ₀는 진공의 투자율이다. 이 결과는 도선으로부터의 거리 r에 반비례하여 자기장이 감소함을 보여준다. 자기장의 방향은 오른손 법칙으로 결정된다. 오른손으로 도선을 감쌀 때, 엄지가 전류의 방향을 가리키면 나머지 네 손가락이 감기는 방향이 자기장의 방향이다.
물리량 | 기호 | 관계 | 비고 |
|---|---|---|---|
자기장 세기 | B | B ∝ I / r | 거리에 반비례 |
전류 세기 | I | B ∝ I | 비례 관계 |
거리 | r | B ∝ 1/r | 반비례 관계 |
투자율 | μ₀ | B = (μ₀ I)/(2πr) | 상수 |
이 모델은 실제로 도선의 길이가 관심 영역에 비해 충분히 길 때 유효한 근사가 된다. 또한, 이 계산은 전류가 도선을 따라 균일하게 분포되어 있다고 가정하며, 교류 전류의 경우에도 준정상 상태(quasi-static state) 근사 하에서 성립한다[2].
솔레노이드는 도선을 원통형으로 길게 감아 만든 코일이다. 이 구조는 내부에 균일하고 강한 자기장을 생성하는 데 매우 효과적이다. 앙페르의 법칙을 적용하여 솔레노이드 내부의 자기장 세기를 계산할 수 있다.
이상적인 무한한 길이의 솔레노이드를 가정하고, 단위 길이당 감은 횟수를 권선 밀도 n이라고 하자. 앙페르의 법칙의 적분 형태 ∮ B·dl = μ₀I_enc를 적용한다. 적분 경로로는 솔레노이드 내부를 지나는 한 변과 외부를 지나는 세 변으로 이루어진 직사각형 폐곡선을 선택한다. 솔레노이드 외부의 자기장은 0에 가깝고, 내부에서 자기장 선은 축과 평행하다는 점을 이용하면, 내부를 지나는 변에서만 B·dl이 0이 아니게 된다. 이 변의 길이를 L이라 하면, 폐곡선을 관통하는 총 전류는 nLI가 된다. 따라서 앙페르의 법칙에 의해 B L = μ₀ n L I가 성립하고, 내부 자기장 B는 다음과 같다.
B = μ₀ n I
이는 솔레노이드 내부의 자기장이 위치에 무관하게 일정하며, 권선 밀도와 전류에 비례함을 보여준다.
실제 유한한 길이의 솔레노이드에서는 끝단 부근에서 자기장이 약해지고 외부로 새어나가는 누설 자기장이 존재한다. 그러나 솔레노이드의 길이가 직경에 비해 충분히 길다면, 중앙부에서는 위 공식이 좋은 근사로 적용된다. 솔레노이드는 전자석, 유도장치, 변압기 등 전자기 장치의 핵심 부품으로 널리 쓰인다.
토로이드는 도넛 모양의 환형(環形) 코일을 말한다. 이 구조는 솔레노이드를 원형으로 말아 양 끝을 연결한 것으로 생각할 수 있으며, 자기장이 코일 내부에 완전히 가두어지는 이상적인 특성을 가진다.
앙페르의 법칙을 적용하여 토로이드 내부의 자기장을 계산할 수 있다. 토로이드의 중심을 축으로 하는 반지름 r의 원형 폐곡선을 앙페르의 법칙의 적분 경로로 선택한다. 이 폐곡선을 따라 자기장 B는 대칭성에 의해 일정하며, 경로에 접선 방향을 가진다. 폐곡선이 토로이드 코일의 권선을 N번 관통할 때, 경로에 의해 둘러싸인 총 전류는 N*I가 된다. 여기서 I는 코일에 흐르는 전류이다. 따라서 앙페르의 법칙 ∮ B·dl = μ₀ I_enc로부터 다음 관계를 얻는다.
B * (2πr) = μ₀ N I
이를 정리하면 토로이드 내부(즉, 토로이드의 내반지름과 외반지름 사이)의 자기장 크기는 다음과 같다.
B = (μ₀ N I) / (2πr)
이 식에서 r은 토로이드 중심에서 측정한 반지름이다. 자기장 B는 r에 반비례하여, 토로이드 내부에서도 중심에 가까울수록 강해진다. 토로이드 외부(폐곡선이 전류를 전혀 둘러싸지 않거나, 정확히 상쇄되는 경우)에서는 자기장이 0이 된다.
토로이드는 누설 자속이 거의 없고, 높은 인덕턴스와 효율을 얻을 수 있어 변압기(트랜스포머), 전류 센서, 토로이드 코어 인덕터 등에 널리 응용된다. 또한, 자기장을 완벽히 가두는 이 특성은 핵융합 연구 장치인 토카막의 기본 설계 원리로 사용된다.
앙페르의 법칙과 가우스 법칙은 맥스웰 방정식을 구성하는 네 개의 핵심 방정식 중 두 가지이다. 두 법칙 모두 벡터장의 발산과 회전을 다루는 정리에서 유도되며, 전자기학의 기본적인 적분형 법칙이라는 점에서 구조적 유사성을 가진다. 그러나 각 법칙이 설명하는 물리량과 현상은 근본적으로 다르다.
앙페르의 법칙은 전류와 그에 의해 생성되는 자기장의 선속 사이의 관계를 설명한다. 즉, 닫힌 경로를 따라 자기장을 선적분한 값은 그 경로를 관통하는 총 전류에 비례한다. 이는 전류가 자기장의 '원천'이 된다는 것을 의미한다. 반면, 가우스 법칙은 전하와 그에 의해 생성되는 전기장의 선속 사이의 관계를 설명한다. 닫힌 곡면을 통과하는 전기장의 선속은 그 곡면 내부에 갇힌 총 전하에 비례한다. 이는 전하가 전기장의 '원천'이 된다는 것을 의미한다.
다음 표는 두 법칙의 주요 차이점을 요약한다.
비교 항목 | 앙페르의 법칙 (적분형) | 가우스 법칙 (적분형) |
|---|---|---|
관련 벡터장 | 자기장 (B) | 전기장 (E) |
원천 | 전류 (I) | 전하 (Q) |
적분 형태 | 선적분 (닫힌 경로 C) | 면적분 (닫힌 곡면 S) |
수학적 표현 | ∮ B·dl = μ₀ I | ∮ E·dA = Q/ε₀ |
설명하는 현상 | 전류에 의한 자기장 생성 | 전하에 의한 전기장 생성 |
미분 형태의 의미 | ∇ × B = μ₀ J | ∇ · E = ρ/ε₀ |
요약하면, 앙페르의 법칙은 전류와 자기장의 회전 특성을, 가우스 법칙은 전하와 전기장의 발산 특성을 규정한다. 이 두 법칙은 전기 현상과 자기 현상을 분리하여 기술하는 동시에, 맥스웰이 변위 전류 개념을 도입하여 앙페르의 법칙을 수정함으로써 서로 결합되어 변화하는 전기장과 자기장이 서로를 생성하는 전자기파의 존재를 예측하는 이론적 토대를 마련하였다.
앙페르의 법칙은 정상 전류에 의한 자기장을 계산하는 데 매우 유용한 도구이다. 그러나 이 법칙은 몇 가지 중요한 한계를 지니고 있으며, 특정 조건에서 주의 깊게 적용해야 한다.
가장 큰 한계는 원래의 앙페르 회로 법칙이 시간에 따라 변하지 않는 정상 전류에만 적용된다는 점이다. 시간에 따라 변하는 전기장이 있는 경우, 예를 들어 축전기가 충전되거나 방전되는 회로에서는 이 법칙을 그대로 적용할 수 없다. 이러한 한계는 맥스웰에 의해 지적되었으며, 그는 맥스웰 방정식을 완성하기 위해 변위 전류 항을 추가하여 법칙을 수정하였다. 또한, 이 법칙은 폐곡선을 따라 자기장의 선적분을 전류와 연결짓지만, 폐곡선 상의 모든 점에서 자기장 자체를 직접적으로 알려주지는 않는다. 적분 경로의 선택에 따라 계산의 난이도가 크게 달라지므로, 대칭성이 높은 경우에 가장 효과적으로 적용된다.
적용 시 주의할 점은 법칙에서 말하는 '폐곡선을 관통하는 총 전류'를 정확히 계산하는 것이다. 이는 단순히 폐곡선 내부에 있는 도선의 전류 합이 아니라, 폐곡선을 뚫고 지나는 *순수한* 전류의 대수합을 의미한다. 전류 밀도의 방향과 폐곡선이 만드는 면의 법선 벡터 방향을 고려해야 한다. 또한, 앙페르 법칙은 자기 쌍극자에 의해 생성된 자기장과 같이 전류와 직접적인 연관이 없는 모든 자기장의 원인을 설명하지는 못한다. 이러한 현상은 보다 근본적인 수준에서 양자역학으로 설명된다.